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科学研究

 

曹强副教授在ACS AMI上发表关于非易失多态存储器的新论文

2020年09月23日 09:32  点击:[]

近日,济南大学自旋电子学研究所的曹强、吕伟明、颜世申与新加坡南洋理工大学王骁教授、澳大利亚卧龙贡大学王晓林教授、新南威尔士大学吴韬教授等合作者,系统介绍了非易失多态存储器的最新进展,并在 ACS Applied Materials & Interfaces学术期刊上发表了题为Nonvolatile Multistates Memories for High-Density Data Storage的综述文章。

信息存储是信息社会的基础。目前信息存储面临的一个重大挑战是实现低能耗、高密度、非易失、存取快、价格低的存储器。非易失多态存储器有望同时满足这些严苛的要求,因此最近成为了存储技术的研究热点。以往的存储器一个单元里只能存储一个比特(bit),而多态存储器的一个单元可以存储多个比特,因此可以在不缩小存储单元尺寸的基础上极大的增加存储密度。最重要的是,多态器件提供了一个可以存算一体的新平台,这为制造突破冯诺伊曼体系的类脑计算机奠定了基础。

该论文深入而系统的呈现了多种非易失多态存储器在器件构建、材料革新、物理机理等方面的进展和挑战,包括闪存多态存储器、磁性多态存储器、阻变多态存储器、铁电多态存储器和相变多态存储器。作者还详细介绍了各种多态存储器的性能优势,探讨了多态存储器的发展趋势和未来应用。

 

论文的第一作者为自旋电子学研究所的曹强副教授,济南大学是该论文的第一贡献单位。

文章直达链接:https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.0c10184

 

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