颜世申 教授

颜世申，国家杰出青年基金获得者、山东省杰出青年基金获得者、教育部新世纪优秀人才、山东省有突出贡献的中青年专家、德国洪堡学者。多次担任国家自然科学基金委的专家评审组成员，还是中国物理年会磁学分会的召集人之一。获山东省自然科学一等奖。

学习工作经历

颜世申教授1996年博士毕业于山东大学，1997年5月-2000年2月在德国的于利希研究中心做洪堡学者，师从诺贝尔物理学奖获得者Peter Grünberg 教授。2000-2002年在美国的亚拉巴马大学和美国国家强磁场实验室从事研究工作。2002年10月回国至2017年底，在山东大学物理学院任教授、博导、副院长、学术委员会主任等职。2018年起加盟济南大学，担任自旋电子学研究所所长。

研究领域

颜世申教授的研究领域是自旋电子学，主要研究方向包括自旋流的产生、输运、调控和探测，电场调控磁性，磁电阻，整流磁电阻，自旋霍尔效应，自旋-轨道耦合等。

近年来主持的主要项目有：（1）国家自然科学基金重点项目：自旋轨道矩驱动的人工反铁磁畴壁运动及其在神经形态计算器件的应用，2024年-2028年,239万元，正在进行。（2）山东省重大基础项目：可模拟神经元功能的自旋多态存储器研制，2021年-2023年,200万元，已完成。（3）国家自然科学基金面上项目：自旋轨道矩反转可电写电读的人工反铁磁体研究，2019年-2022年,60万元，已完成。（4）国家重大科学研究计划项目，高品质半导体磁性异质结构分子束外延生长和磁性研究，2007年-2011年，课题第二负责人（合作单位课题负责人），分担经费390 万元（项目总经费约2600 万元），已完成。 (5)国家自然科学面上基金项目, ，非匀质化合物磁性半导体的自旋极化和电子输运，2006.1-2008.12，项目负责人，27万元，已完成。 (6)国家973项目,自旋电子注入的材料结构、过程和控制, 2002年4月—2006年10月，课题负责人，236 万元，已完成。 (7)教育部新世纪人才支持计划，,亚纳米尺寸复合磁性半导体材料的制备、结构和性能；2005.1-2007.12，项目负责人，50 万元，已完成。 (8) 山东大学人才基金项目,新型氧化物基磁性半导体研究, 2003.1-2005.12, 项目负责人，20 万元, 已完成。

代表性成果

(1) 研制了具有独立自主知识产权的ZnCoO等6种高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体，发现这类新材料具有高居里点、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良物理特性，有望成为高效的自旋注入源。

(2) 提出了自旋相关的电子变程跃迁理论模型，定量解释了磁性半导体的磁电阻起源，提供了测量自旋极化率的新方法。

(3) 在金属Fe/Mn/Fe三层膜中发现了任意角度的层间耦合。

(4) 提出了外边界磁化自由转动的畴壁位移模型，解决了几种磁性薄膜的磁化反转机理。

研究成果已获得国家发明专利授权9项，发表SCI论文160多篇，部分成果已被写进了教科书和特邀综述文章，并被许多研究组广泛采用。