济南大学自旋电子研究所
 
 
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颜世申

2019年03月18日 08:35  点击:[]

颜世申 教授


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联系电话:053182769726

 

电子邮件:shishenyan@sdu.edu.cn

 

办公地址:济南大学西校区老办公楼515室

 

学术成就

颜世申,国家杰出青年基金获得者、山东省杰出青年基金获得者、教育部新世纪优秀人才、山东省有突出贡献的中青年专家、德国洪堡学者。多次担任国家自然科学基金委的专家评审组成员,还是中国物理年会磁学分会的召集人之一。获山东省自然科学一等奖。

学习工作经历

    颜世申教授1996年博士毕业于山东大学,1997年5月-2000年2月在德国的于利希研究中心做洪堡学者,师从诺贝尔物理学奖获得者Peter Grünberg 教授。2000-2002年在美国的亚拉巴马大学和美国国家强磁场实验室从事研究工作。2002年10月回国至2017年底,在山东大学物理学院任教授、博导、副院长、学术委员会主任等职。2018年起加盟济南大学,担任自旋电子学研究所所长。

研究领域

    颜世申教授的研究领域是自旋电子学,主要研究方向包括自旋流的产生、输运、调控和探测,电场调控磁性,磁电阻,整流磁电阻,自旋霍尔效应,自旋-轨道耦合等。近年来,负责国家自然科学基金重点项目、973课题、111引智计划项目、军工重大项目、国家重点实验室自由探索项目多项。研究成果已获得国家发明专利授权9项,发表SCI论文160多篇,部分成果已被写进了教科书和特邀综述文章,并被许多研究组广泛采用。

 

代表性成果

 

(1) 研制了具有独立自主知识产权的ZnCoO等6种高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体,发现这类新材料具有高居里点、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良物理特性,有望成为高效的自旋注入源。

(2) 提出了自旋相关的电子变程跃迁理论模型,定量解释了磁性半导体的磁电阻起源,提供了测量自旋极化率的新方法。

(3) 在金属Fe/Mn/Fe三层膜中发现了任意角度的层间耦合。

(4) 提出了外边界磁化自由转动的畴壁位移模型,解决了几种磁性薄膜的磁化反转机理。

研究成果已获得国家发明专利授权9项,发表SCI论文160多篇,部分成果已被写进了教科书和特邀综述文章,并被许多研究组广泛采用。


 

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