导师简介
李胜世，讲师，1989年出生，本科与硕士均就读于济南大学物理科学与技术学院，于2018年在山东大学物理学院获得博士学位。2019年入职济南大学自旋电子学研究所，校聘A3岗专家。先后获得了国家自然科学基金理论专项、国家自然科学基金青年项目和山东自然科学基金青年项目等基金资助，总额44万元。以第一作者身份在 ACS Applied Materials & Interfaces、Nanoscale、Journal of Material Chemistry C、Applied Physics Letters等国际著名期刊上发表 SCI论文15篇。曾获山东省高等学校科学技术奖一项，山东高等学校优秀科研成果奖一项。
研究方向
范德华异质结中的磁电耦合效应。兼具铁电性和磁性的二维多铁材料凭借其新颖的物理性质和在高密度多态存储器件中的潜在应用，已经成为当前人们的研究重点。范德华异质结的构建为二维多铁材料的开发提供了一个新的平台，而界面磁电耦合效应的实现将引领新一代自旋电子学器件的技术进步。
二维磁性材料中的节线态。二维狄拉克材料是物理和材料领域众多科学家的研究热点，但自旋耦合作用往往会破坏零带隙的能带结构。对于具有100%自旋极化的二维狄拉克磁性半金属而言，在特定条件下是可以实现零带隙能带不受自旋轨道耦合作用影响的，这为高效低耗、高集成度的微型化新型拓扑自旋电子学器件的实现提供了可行性。
代表性论文
(1) Yang Hu#; Sheng-Shi Li#; Wei-Xiao Ji*; Chang-Wen Zhang; Meng Ding; Pei-Ji Wang; Shi-Shen Yan*; Glide Mirror Plane Protected Nodal-Loop in an Anisotropic Half-Metallic MnNF Monolayer, The Journal of Physical Chemistry Letters, 2020, 11: 485−491.
(2) Sheng-shi Li; Ya-ping Wang; Shu-jun Hu; Duo Chen; Chang-wen Zhang*; Shi-shen Yan*; Robust half-metallicity in transition metal tribromide nanowires, Nanoscale, 2018, 10(33): 15545-15552.
(3) Sheng-shi Li; Wei-xiao Ji; Shu-jun Hu; Chang-wen Zhang*; Shi-shen Yan*; Effect of Amidogen Functionalization on Quantum Spin Hall Effect in Bi/Sb(111) Films, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(47): 41443-41453.
(4) Sheng-shi Li; Wei-xiao Ji; Ping Li; Shu-jun Hu; Li Cai; Chang-wen Zhang*; Shi-shen Yan*; Tunability of the Quantum Spin Hall Effect in Bi(110) Films: Effects of Electric Field and Strain Engineering, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 9(25): 21515-21523.
(5) Sheng-shi Li; Shu-jun Hu; Wei-xiao Ji; Ping Li; Kun Zhang; Chang-wen Zhang*; Shi-shen Yan*; Emergence of ferrimagnetic half-metallicity in two-dimensional MXene Mo3N2F2, Applied Physics Letters, 2017, 111(20): 202405-1-202405-5.
(6) Sheng-shi Li; Wei-xiao Ji; Chang-wen Zhang*; Ping Li; Pei-ji Wang; Robust room-temperature inversion-asymmetry topological transitions in functionalized HgSe monolayer, Journal of Materials Chemistry C, 2016, 4(11): 2243-2251.
